金融界2024年11月1日音讯，国家知识产权局信息数据显现，华邦电子股份有限公司请求一项名为“半导体结构及其制作办法”的专利，公开号 CN 118843308 A，请求日期为2023年5月。

  专利摘要显现，本发明供给一种半导体结构及其制作办法，该制作办法包括对基板履行榜首刻蚀制作工艺以构成榜首沟槽，以及适应性地构成适应层于榜首沟槽的外表。办法还包括沿着榜首沟槽对基板履行第二刻蚀制作工艺，以构成第二沟槽于榜首沟槽下方，谈判在第二刻蚀制作工艺中，适应层比基板具有更高的刻蚀抗性，使得第二沟槽的顶部宽度大于榜首沟槽的底部宽度，本发明经过将构成自动区的刻蚀制作工艺分为两次的刻蚀制作工艺，并调配适应层的构成，可以保持自动区所需的线宽巨细，改进存储器设备的良率以及功能。